Санджай Банерджи - Sanjay Banerjee - Wikipedia

Санджай Банерджи
Banerjee kerry.jpg
Профессор Санджай Банерджи өзінің бұрынғы Микроэлектроника ғылыми-зерттеу орталығындағы жұмысын талқылады Джон Керри (Сәуір 2016). [1]
Алма матерУрбан-Шампейндегі Иллинойс университеті (Ph.D.)
Үндістанның Харагпур технологиялық институты (B.Tech.)
Марапаттар2014 IEEE Эндрю С. Гроув сыйлығы
2003 Электрохимиялық қоғам Томас Д. Каллинан сыйлығы
2000 IEEE Мыңжылдық медалі
1988 Ұлттық ғылыми қор Президенттің жас тергеушісі сыйлығы
Ғылыми мансап
ӨрістерЭлектротехника
МекемелерОстиндегі Техас университеті
Докторантура кеңесшісіБен Г.
Веб-сайтбанержелаб.мер.utexas.edu

Санджай Банерджи кезінде американдық инженер болып табылады Остиндегі Техас университеті, микроэлектроника ғылыми-зерттеу орталығының директоры,[2] және Оңтүстік-Батыс наноэлектроника академиясының (SWAN) директоры - АҚШ-тағы осындай үш орталықтың бірі қаржыландырады. Жартылай өткізгішті зерттеу корпорациясы үшін алмастырғышты әзірлеу MOSFET олардың наноэлектрониканы зерттеу бастамасы (NRI) шеңберінде.[3]

Мансап

Банерджи 60-тан астам PhD докторанттар мен 70 M.S. ол Кокрелл отбасылық регенттер кафедрасының профессоры болып табылатын Техас университетінің студенттері.

Зерттеу

1986 жылы полисиликонды транзисторлардағы жұмысы үшін IEEE Халықаралық қатты денелер тізбегі конференциясында «Үздік мақала» наградасымен марапатталды. жедел жад ұяшықтары қолданған Texas Instruments әлемдегі алғашқы 4 мегабитте DRAM. Ол алғашқы үш терминалды FET туннелін, сондай-ақ флэш-жад үшін алғашқы к-диэлектрик / кремний-германий кванттық нүктелік қақпаларын көрсетті.[4] Ол CMD наноэлектронды транзисторлардан тыс жерлерде белсенді және 2D материалдары негізінде жұмыс істейді спинтроника, жетілдірілгендерді жасау және модельдеу MOSFET, және күн батареялары.[5][6][7]

Жарияланымдар

Оның 650-ден астам архивтік-журналдық басылымдары мен конференциялық сұхбаттары бар[8]және оның 30 АҚШ патенті бар. Ол бұрынғы деканмен бірге автор Кокрелл инженерлік мектебі Бен Г. Қатты күйдегі электрондық құрылғылардың оқулығы, қазіргі уақытта оның 7-ші басылымы.

Марапаттар мен марапаттар

Банерджи мүшесі болып сайланды Электр және электроника инженерлері институты 1996 ж., стипендиат Американдық физикалық қоғам 2006 ж. және оның мүшесі Американдық ғылымды дамыту қауымдастығы Оның марапаттары 2014 ж IEEE Эндрю С. Гроув сыйлығы[4], 2008 ж Кокрелл инженерлік мектебі Билли мен Клод Р.Хокотттың ғасырлық инженерлікке арналған ерекше сыйлығы[9], 2005 ж Үндістанның Харагпур технологиялық институты Құрметті түлектер сыйлығы, 2003 ж Электрохимиялық қоғам Томас Д. Каллинан сыйлығы, 2000 ж IEEE Мыңжылдық медалі және 1988 ж Ұлттық ғылыми қор Президенттің жас тергеушісі сыйлығы лазермен жақсартылған жоғары жылдамдықты оптоэлектрондық құрылғылар мен VLSI құрылымдары үшін молекулалық сәуленің эпитаксиясы[10].

Әдебиеттер тізімі

  1. ^ DeCiutiis, Ханна Джейн. «Керри сапары Кокрелл мектебінің жаңартылатын энергия саласындағы көшбасшылығы - Кокрелл Инженерлік мектебінің маңызды сәттері». www.engr.utexas.edu. Алынған 13 шілде 2017.
  2. ^ «Микроэлектроника ғылыми орталығы». utexas.edu. Алынған 26 тамыз 2017.
  3. ^ «Оңтүстік-Батыс наноэлектроника академиясы». src.org. Алынған 26 тамыз 2017.
  4. ^ а б «IEEE IEEE Эндрю С. Гроув сыйлығын алушылар». www.ieee.org. Алынған 13 шілде 2017.
  5. ^ «Санджай Банерджи». utexas.edu. Алынған 11 желтоқсан, 2016.
  6. ^ «Банерджи, Санджай». worldcat.org. Алынған 11 желтоқсан, 2016.
  7. ^ «BanerjeeLab». utexas.edu. Алынған 26 тамыз, 2017.
  8. ^ «Sanjay K Banerjee, Research Out, UT Austin». utexas.influuent.utsystem.edu. Алынған 13 шілде 2017.
  9. ^ Лаворгна, Терри. «Билли және Клод Р. Хокотт жүзжылдықтың инженерлік-зерттеу саласындағы айрықша сыйлығы - Кокрелл инженерлік мектебі». www.engr.utexas.edu. Алынған 13 шілде 2017.
  10. ^ «NSF сыйлығын іздеу: Сыйлық # 8858352 - Президенттің жас тергеушісі сыйлығы: жоғары жылдамдықты оптоэлектрондық құрылғылар және VLSI құрылымдары лазерлік жақсартылған эпитаксиямен». www.nsf.gov. Алынған 13 шілде 2017.